Görsel mevcut değil
IRG8P40N120KD-EPBF
IRG8P40N120KD-EPBF Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRG8P40N120KD-EPBF, 1200V voltaj sınıfında çalışan bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 60A sürekli ve 75A atımlı akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sağlanan bu transistör, güç elektronik uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. 2V düşük açık durum voltajı (Vce(on)) ve 240nC gate charge değerleri ile verimli komütasyon özellikleri sunmaktadır. -40°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. İnverter, motor sürücü ve SMPS (Switched Mode Power Supply) gibi yüksek güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Bileşen artık üretilmemekte (Obsolete) olup, yerini daha yeni modeller almıştır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
75 A
Gate Charge
240 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
305 W
Reverse Recovery Time (trr)
80 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
1.6mJ (on), 1.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
40ns/245ns
Test Condition
600V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V