Görsel mevcut değil
IRG8P25N120KDPBF
IRG8P25N120KDPBF Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRG8P25N120KDPBF, 1200V kollektör-emitör bozulma gerilimi ile çalışan bir IGBT transistördür. 40A maksimum kollektör akımı ve 180W güç yönetimi kapasitesi ile tasarlanmıştır. Standard input tipi ile çalışan bu komponent, TO-247-3 paket formatında sunulmaktadır. 20ns açılış ve 170ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Gate charge değeri 135nC olup, 70ns reverse recovery time sunmaktadır. Geniş sıcaklık aralığında (-40°C ~ 150°C) güvenli çalışan bu transistör, enerji dönüştürme, güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılır. Part Status: Obsolete.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
45 A
Gate Charge
135 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
180 W
Reverse Recovery Time (trr)
70 ns
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
800µJ (on), 900µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/170ns
Test Condition
600V, 15A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V