Görsel mevcut değil
IRG8P25N120KD-EPBF
IRG8P25N120KD-EPBF Hakkında
IRG8P25N120KD-EPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 40A IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak için tasarlanmıştır. Maksimum collector akımı 40A (pulse modunda 45A), maksimum güç seviyesi 180W olup, -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında çalışabilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 15A akımında 2V'tur. 135nC gate charge ve 70ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. On/off delay zamanları sırasıyla 20ns/170ns olup, switching energy değerleri 800µJ (açılış) ve 900µJ (kapanış) olarak belirtilmiştir. Industrial uygulamalarda, motor kontrol devrelerinde, güç kaynakları ve inverter tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. Bileşen obsolete statüsünde bulunmaktadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
45 A
Gate Charge
135 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
180 W
Reverse Recovery Time (trr)
70 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
800µJ (on), 900µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/170ns
Test Condition
600V, 15A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V