Görsel mevcut değil
IRG8P15N120KD-EPBF
IRG8P15N120KD-EPBF Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRG8P15N120KD-EPBF, 1200V kollektör-emitter breakdown voltajına sahip tekil IGBT transistörüdür. 30A maksimum kolektör akımı kapasitesi ile medium güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, 125W maksimum güç dissipasyonu ile çalışabilir. 98nC gate charge ve 15ns/170ns açılma/kapanma gecikmesi özellikleri ile hızlı switching işlemleri gerçekleştirebilir. 60ns reverse recovery time karakteristiği ile enerji dönüştürme uygulamalarında verimli çalışma sağlar. Endüstriyel inverter, motor kontrol devreleri, UPS sistemleri ve güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığında stabil performans gösterir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Gate Charge
98 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
125 W
Reverse Recovery Time (trr)
60 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
600µJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
15ns/170ns
Test Condition
600V, 10A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V