Görsel mevcut değil
IRG8P08N120KD-EPBF
IRG8P08N120KD-EPBF Hakkında
IRG8P08N120KD-EPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT transistörüdür. 15A maksimum collector akımı, 2V Vce(on) değeri ve 45nC gate charge özelliği ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 600V/5A test koşullarında 20ns açılış ve 160ns kapanış sürelerine sahiptir. 89W maksimum gücü ve 50ns reverse recovery time değeri ile hızlı switching uygulamalarında kullanılır. Endüstriyel konvertörler, motor sürücüleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilmektedir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, standart giriş tipine ve through-hole montaj türüne sahiptir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
15 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
15 A
Gate Charge
45 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
89 W
Reverse Recovery Time (trr)
50 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
300µJ (on), 300µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/160ns
Test Condition
600V, 5A, 47Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V