Görsel mevcut değil
IRG8CH42K10F
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 40A DIE
IRG8CH42K10F Hakkında
IRG8CH42K10F, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 1200 Volt / 40A 40 Amper kapasitesine sahip tekil IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) DIE komponenttir. Gate charge değeri 230 nC olan bu transistör, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 40A akım için 2V'dur. Turn-on ve turn-off gecikmesi sırasıyla 40ns ve 240ns olup, hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. -40°C ile 175°C (junction) sıcaklık aralığında çalışabilir. Surface mount DIE paketinde sunulan bu komponent, güç dönüştürücüleri, inverterler ve diğer yüksek voltaj uygulamalarında yer alır. Ürün şu anda EOL (End of Life) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Gate Charge
230 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
40ns/240ns
Test Condition
600V, 40A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V