Görsel mevcut değil
IRG8CH37K10F
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 100A DIE
IRG8CH37K10F Hakkında
IRG8CH37K10F, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 100A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) die bileşenidir. Standard input tipi ile tasarlanan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 210 nC gate charge ve 35ns/190ns (on/off) geçiş süreleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Vce(on) değeri 2V (15V, 35A koşullarında) olup, 1200V collector-emitter breakdown voltajına sahiptir. Endüstriyel sürücüler, invertörler, konvertörler ve yüksek güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
7 özellik
Gate Charge
210 nC
Input Type
Standard
Part Status
Market
Td (on/off) @ 25°C
35ns/190ns
Test Condition
600V, 35A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V