Görsel mevcut değil
IRG8CH29K10F
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
IRG8CH29K10F Hakkında
IRG8CH29K10F, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V ultra hızlı IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) die komponentidir. Bu tekil transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama (switching) işlevlerini gerçekleştirmek üzere tasarlanmıştır. 160 nC gate charge ve 40ns/245ns açılış/kapanış süresiyle karakterize edilir. Maksimum Vce(on) değeri 15V gate voltajında 25A kollektör akımında 2V olarak belirtilmiştir. -40°C ile 175°C arasında çalışır. Surface mount die paketi olarak sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürme devreleri, motor kontrol uygulamaları ve güç kaynağı tasarımlarında kullanılır. Şu anda üretim dışıdır (obsolete) ancak yedek parça uygulamalarında temin edilebilir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Gate Charge
160 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
40ns/245ns
Test Condition
600V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V