Görsel mevcut değil
IRG8CH20K10F
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
IRG8CH20K10F Hakkında
IRG8CH20K10F, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) die komponentdir. Ultrafast switching karakteristiği ile 20ns turn-on ve 170ns turn-off zamanlarına sahiptir. 90 nC gate charge değeri ile düşük sürüş gücü gerektirir. 15A nominal akımda 2V Vce(on) değeri ile verimli işletme sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Yüksek voltaj uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, inverter devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount die paketi olarak sunulan bu komponent artık obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Gate Charge
90 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
20ns/170ns
Test Condition
600V, 15A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V