Görsel mevcut değil
IRG8CH15K10F
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
IRG8CH15K10F Hakkında
IRG8CH15K10F, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) tekil transistördür. Ultra fast switching karakteristiği ile tasarlanmış bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaktadır. Die paket formunda sunulan komponent, 15ns açılış ve 170ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 65 nC gate charge değeri ile düşük sürücü gereksinimi vardır. İş sıcaklığı aralığı -40°C ile 175°C arasında değişmektedir. Vce(on) maksimum değeri 15V gate geriliminde 10A akımda 2V'tur. Enerji dönüştürme, endüstriyel sürücü ve güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. Ürün üretim sonlandırılmış (obsolete) durumundadır.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Gate Charge
65 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
15ns/170ns
Test Condition
600V, 10A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V