Görsel mevcut değil
IRG8CH10K10F
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 5A DIE
IRG8CH10K10F Hakkında
IRG8CH10K10F, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 5A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) die bileşenidir. Surface mount die paketi olarak sunulan bu komponentin maksimum gate charge değeri 30 nC, çalışma sıcaklık aralığı -40°C ile 175°C arasında değişmektedir. Vce(on) maksimum değeri 15V gate voltajında 5A collector akımı koşulunda 2V'tur. Turn-on ve turn-off gecikme süreleri sırasıyla 20ns ve 160ns'dir. 1200V collector-emitter breakdown voltajı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. Switching güç kaynakları, motor kontrolü ve endüstriyel konvertörlerde tercih edilen bu bileşen artık üretilmemektedir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Gate Charge
30 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
20ns/160ns
Test Condition
600V, 5A, 47Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V