Görsel mevcut değil
IRG8CH106K10F
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 110A DIE
IRG8CH106K10F Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRG8CH106K10F, 1200V kollektör-emitör breakdown voltajı ile tasarlanmış yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) diyotüdür. 110A nominal akım kapasitesi ve 2V maksimum Vce(on) değeri ile güç dönüştürme uygulamalarında düşük iletim kayıpları sağlar. 700 nC gate charge ve 80ns/380ns hızlı anahtarlama karakteristiği ile motor sürücüleri, endüstriyel invertörler, güç kaynakları ve kaynak makinaları gibi uygulamalarda kullanılır. Die form faktöründe sunulan bileşen, -40°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sağlar. Ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Ürün Özellikleri
11 özellik
Gate Charge
700 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
80ns/380ns
Test Condition
600V, 110A, 1Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 110A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V