Görsel mevcut değil
IRG8B08N120KDPBF
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- DIODE 1200V 8A TO-220
IRG8B08N120KDPBF Hakkında
IRG8B08N120KDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 15A collector akımı ve 89W güç dağıtabilir. 45nC gate charge ve 50ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -40°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Switching energy değerleri (300µJ on/off) düşük kayıpla çalışmasını sağlar. Güç elektroniği uygulamalarında, inverter devrelerde, motor sürücülerinde ve anahtarlama kaynakları tasarımında kullanılır. Yüksek voltaj toleransı ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile endüstriyel ve tüketici elektroniklerinde yer bulur. Bileşen şu anda üretilmemektedir (Obsolete).
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
15 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
15 A
Gate Charge
45 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
89 W
Reverse Recovery Time (trr)
50 ns
Supplier Device Package
TO-220AB
Switching Energy
300µJ (on), 300µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/160ns
Test Condition
600V, 5A, 47Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V