Görsel mevcut değil
IRG7PK35UD1-EPBF
IRG7PK35UD1-EPBF Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRG7PK35UD1-EPBF, 1400V collector-emitter gerilimi ile tasarlanmış yüksek voltaj IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 40A DC ve 200A pulse collector akımı ile çalışabilir. 167W maksimum disipasyon gücüne sahip olan transistör, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 20A akımda 2.35V olup, 98nC gate yükü ve 150ns turn-off gecikmesi ile kontrollü anahtarlama sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu IGBT, indüktif yükler, motor kontrolü, welding cihazları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaktadır. Through-hole montaj tipine uygun paketlemesi, güç uygulamalarında güvenli ısıl ve mekanik bağlantı sağlar.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
98 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
167 W
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
650µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
-/150ns
Test Condition
600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.35V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1400 V