Görsel mevcut değil
IRG7PH50K10D-EPBF
IRG7PH50K10D-EPBF Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRG7PH50K10D-EPBF, 1200V darbeye dayanıklı IGBT transistörüdür. 90A maksimum kolektör akımı ve 400W güç yönetim kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücü, inverter, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 300nC kapı yükü ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. Ürün üretim dışı (obsolete) konumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
90 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
300 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
400 W
Reverse Recovery Time (trr)
130 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
2.3mJ (on), 1.6mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
90ns/340ns
Test Condition
600V, 35A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V