Görsel mevcut değil
IRG7PH44K10DPBF
IRG7PH44K10DPBF Hakkında
IRG7PH44K10DPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 70A maksimum collector akımı ve 320W güç yayılımı kapasitesiyle endüstriyel uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-3 paketlemesiyle Through Hole montajına uygun olan bu bileşen, güç elektronikleri alanında anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüler ve inverter tasarımlarında tercih edilir. 2.4V Vce(on) değeri ve 130ns ters iyileşme süresi ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Not: Bu ürün üretim dışı (Obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
70 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Gate Charge
200 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
320 W
Reverse Recovery Time (trr)
130 ns
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
2.1mJ (on), 1.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
75ns/315ns
Test Condition
600V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V