Görsel mevcut değil
IRG7PH44K10D-EPBF
IRG7PH44K10D-EPBF Hakkında
IRG7PH44K10D-EPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörlüdür. 70A sürekli kolektör akımı ve 100A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paket tipi ile Through Hole montaj için tasarlanmıştır. 320W maksimum güç kapasitesi ile orta ve yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 2.4V (@15V, 25A) ile düşük iletim kaybına sahiptir. 200nC gate charge ve 75ns/315ns açılış/kapanış zamanı hızlı anahtarlama operasyonlarını sağlar. Endüstriyel kontrol, motor sürücü, UPS ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında güvenli çalışma sağlar. Ürün obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
70 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Gate Charge
200 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
320 W
Reverse Recovery Time (trr)
130 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
2.1mJ (on), 1.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
75ns/315ns
Test Condition
600V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V