Görsel mevcut değil
IRG7PH42UD2PBF
IRG7PH42UD2PBF Hakkında
IRG7PH42UD2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 60A güç IGBT transistörüdür. Trench teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamalarında anahtarlama görevini yerine getirir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, maksimum 321W güç kapasitesine ve 234nC kapı yükü karakteristiğine sahiptir. 90A pulse akımı destekleyen ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve inverterlerde kullanılır. 2.02V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Hızlı anahtarlama özelliği ile 233ns kapatma zamanı elde eder.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Gate Charge
234 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
321 W
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
1.32mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
-/233ns
Test Condition
600V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.02V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V