Görsel mevcut değil
IRG7PH35UPBF
IRG7PH35UPBF Hakkında
IRG7PH35UPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V kollektör-emitter gerilimi ile çalışabilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 55A maksimum kollektör akımı ve 210W maksimum disipasyon gücü ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. Trench IGBT teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, anahtarlama hızı gerektiren devrelerde, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri ve inverter uygulamalarında yer alır. TO-247-3 Through Hole paketinde sunulan komponent, -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 2.2V Vce(on) değeri düşük iletim kaybı sağlar. Bileşen üretimi durdurulmuş (Obsolete) olup, mevcut tasarımları için alternatif seçeneklerin değerlendirilmesi önerilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
55 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
85 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
210 W
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
1.06mJ (on), 620µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/160ns
Test Condition
600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V