Görsel mevcut değil
IRG7PH35UDPBF
IRG7PH35UDPBF Hakkında
IRG7PH35UDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V Trench IGBT transistördür. 50A kolektör akımı kapasitesi ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel sürücü devreleri, invertörler, UPS sistemleri ve benzer yüksek güçlü anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 85nC gate charge ve 1.06mJ/620µJ switching energy değerleri ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Maksimum 180W güç tüketimi kapasitesi ve 2.2V @ 15V, 20A Vce(on) değeri ile verimli performans sunar. Ürün halen üretimden kaldırılmış (Obsolete) durumda olup, yedek parça veya retrofit uygulamalarında bulunmaktadır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
85 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
180 W
Reverse Recovery Time (trr)
105 ns
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
1.06mJ (on), 620µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/160ns
Test Condition
600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V