Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
IRG7PH35UD1PBF
IRG7PH35UD1PBF Hakkında
IRG7PH35UD1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V Trench IGBT transistörüdür. 50A sürekli collector akımı ve 150A pulsed akım kapasitesi ile yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 179W maksimum güç dağıtımına ve 2.2V Vce(on) düşük açık voltajına sahiptir. 85nC gate charge ve 160ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel invertör, motor sürücü, kaynak makineleri ve enerji dönüşüm sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Not: Bu ürün obsolete (üretilmiyor) durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
85 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
179 W
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
620µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
-/160ns
Test Condition
600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
İlgili Ürünler
