Görsel mevcut değil
IRG7PH35UD1MPBF
IRG7PH35UD1MPBF Hakkında
IRG7PH35UD1MPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 50A sürekli kollektör akımı ile tasarlanmıştır. 150A darbe akımı kapasitesi sayesinde geçici yüksek akım durumlarında kullanılabilir. Trench teknolojisine dayalı yapısı sayesinde düşük geçiş kaybı ve hızlı anahtarlama özelliği sunar. 179W maksimum harcanan gücü ile güç dönüştürücü, inverter, motor kontrol ve endüstriyel uygulamalarda kullanıma uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, 2.2V (Vce(on)) ile verimli çalışır. Standard giriş tipi ve TO-247 montajı, endüstriyel ve ticari uygulamalara uyarlanmıştır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
130 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
179 W
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
620µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
-/160ns
Test Condition
600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V