Görsel mevcut değil
IRG7PH35UD1-EP
IRG7PH35UD1-EP Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRG7PH35UD1-EP, 1200V Trench tipi IGBT transistörüdür. 50A sürekli kollektör akımı ve 150A darbe akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 179W maksimum güç disipasyonuna sahip bu bileşen, TO-247-3 paketinde sunulmaktadır. Vce(on) değeri 15V, 20A'de 2.2V olup, 130nC gate charge ve 160ns kapalı olma geçiş zamanı ile çalışır. -55°C ile +150°C arasında güvenli bir şekilde işletilmesi mümkündür. Enerji dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri ve güç kaynakları gibi yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Teknik özellikleri, güvenilir anahtarlama performansı sağlayacak şekilde belirlenmiştir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
130 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
179 W
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
620µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
-/160ns
Test Condition
600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V