Görsel mevcut değil
IRG7PH35UD-EP
IRG7PH35UD-EP Hakkında
IRG7PH35UD-EP, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 50A kapasiteli tekil IGBT transistördür. Trench tipi IGBT teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak görev yapar. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, 180W güç dağıtabilir ve 600V, 20A test koşullarında 2.2V Vce(on) değeri gösterir. 85nC gate charge ve 30ns/160ns açılış/kapanış süresi ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Enerji dönüştürme, endüstriyel sürücüler ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
85 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
180 W
Reverse Recovery Time (trr)
105 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
1.06mJ (on), 620µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/160ns
Test Condition
600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V