Görsel mevcut değil
IRG7PH35U-EP
IRG7PH35U-EP Hakkında
IRG7PH35U-EP, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V Trench IGBT transistörüdür. 55A sürekli ve 60A darbe collector akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 through hole paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel konvertörler, motor kontrol devreleri, kaynak cihazları ve güç kaynakları gibi uygulamalarda yer alır. 2.2V Vce(on) değeri ve 130nC gate charge karakteristiği ile düşük konduction ve switching kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Not: Bu ürün üretilmemiş (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
55 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
130 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
210 W
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
1.06mJ (on), 620µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/160ns
Test Condition
600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V