Görsel mevcut değil
IRG7PH30K10PBF
IRG7PH30K10PBF Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRG7PH30K10PBF, 1200V voltaj sınıfında Trench tipi IGBT transistörüdür. 33A maksimum kollektör akımı ve 210W güç kapasitesi ile endüstriyel güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 45nC gate charge ve düşük switching energy değerleriyle (on: 530µJ, off: 380µJ) verimli çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan transistör, UPS sistemleri, motor kontrol devreleri, dönüştürücüler ve enerji yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Hızlı komütasyon özellikleri (14ns/110ns) ile sistem performansını artırır. Not: Parça obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
33 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
27 A
Gate Charge
45 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
210 W
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
530µJ (on), 380µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
14ns/110ns
Test Condition
600V, 9A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.35V @ 15V, 9A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V