Görsel mevcut değil
IRG7PH28UD1PBF
IRG7PH28UD1PBF Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRG7PH28UD1PBF, 1200V kollektör-emiter geriliminde çalışan yüksek gerilim IGBT transistörüdür. 30A maksimum DC akımı ve 100A pulslu akım kapasitesi ile endüstriyel güç elektronik uygulamalarında kullanılır. Trench teknolojisi ile üretilen bu bileşen, anahtarlama devrelerinde düşük on/off gecikmesi (229ns) ve 90nC gate charge ile hızlı komütasyon sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, motor kontrol, invertörler, UPS sistemleri ve kaynak makineleri gibi güç dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Gate Charge
90 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
115 W
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
543µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
-/229ns
Test Condition
600V, 15A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V