Görsel mevcut değil
IRG7CH81K10EF-R
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
IRG7CH81K10EF-R Hakkında
IRG7CH81K10EF-R, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V ultra hızlı IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) die komponenttir. 600V, 150A test koşullarında maksimum 2.3V Vce(on) değeri ile karakterize edilen bu transistör, 745 nC gate charge ve 70ns/330ns turn-on/turn-off süreleri ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu komponent, güç elektronikleri, inverter devreler, motor kontrol ve endüstriyel anahtarlamalar gibi uygulamalarda yer almıştır. Die paketinde sunulan bu bileşen, yüksek güç yoğunluğu gerektiren modüler tasarımlar için kullanılmaktadır. Not: Ürün Obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Gate Charge
745 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
70ns/330ns
Test Condition
600V, 150A, 1Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 150A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V