Görsel mevcut değil
IRG7CH75UEF-R
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
IRG7CH75UEF-R Hakkında
IRG7CH75UEF-R, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ultra fast die'dır. Die formunda sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde kullanılır. 100A akım kapasitesi ile, güç dönüştürme, motor kontrolü, enerji yönetimi ve indüktif yük anahtarlaması gibi uygulamalarda yer alır. 120ns açılış ve 890ns kapanış süresi ile ultra fast switching özelliği sağlar. Vce(on) değeri 2V @ 15V, 100A koşullarında ölçülmüştür. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 770nC Gate Charge değeri ile kontrol devreleri için uygun özelliklere sahiptir. Not: Bu ürün obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Gate Charge
770 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
120ns/890ns
Test Condition
600V, 100A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V