Görsel mevcut değil
IRG7CH75K10EF-R
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
IRG7CH75K10EF-R Hakkında
IRG7CH75K10EF-R, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ultra hızlı die komponentdir. Bu IGBT, 1200V collector-emitter kırılma gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 500 nC gate charge ve 120ns/445ns (on/off) geçiş süreleri ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. 1.53V maksimum Vce(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -40°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. Yüksek güçlü invertör, motor kontrol, kaynak makineleri ve enerji dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Die format olarak sağlanan bu komponent, özel paketleme ve monte işlemlerine uygun endüstriyel uygulamalar için tasarlanmıştır.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Gate Charge
500 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
120ns/445ns
Test Condition
600V, 100A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.53V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V