Görsel mevcut değil
IRG7CH73UEF-R
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
IRG7CH73UEF-R Hakkında
IRG7CH73UEF-R, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT Ultra Fast Die transistördür. Die formda sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 540 nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri sağlar. Maksimum Vce(on) değeri 15V gate voltajında 75A akımda 2V'tur. Ultrasonik kaynak, endüstriyel konvertörler, servo sürücüler ve yüksek güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Gate Charge
540 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
90ns/580ns
Test Condition
600V, 75A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V