Görsel mevcut değil
IRG7CH73K10EF-R
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
IRG7CH73K10EF-R Hakkında
IRG7CH73K10EF-R, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ultra hızlı diyottur. Die formunda sunulan bu komponent, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 420 nC gate charge ve 105ns/45ns açılma/kapanma zamanı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Maksimum Vce(on) değeri 1.6V olup, 1200V collector-emitter diyelectric dayanımına sahiptir. -40°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Güç dönüştürücüler, endüstriyel motor kontrol devrelerinde ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Üretim durdurulmuş (obsolete) bir komponenttir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Gate Charge
420 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
105ns/45ns
Test Condition
600V, 75A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V