Görsel mevcut değil
IRG7CH73K10EF
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
IRG7CH73K10EF Hakkında
IRG7CH73K10EF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT transistörüdür. Ultra hızlı switching karakteristikleri ile tasarlanan bu bileşen, özellikle güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve welding uygulamalarında kullanılır. 360 nC gate charge değeri ile düşük driveleme gücü gerektiren uygulamalara uygundur. Die paketinde sunulan bu transistör, 63ns turn-on ve 267ns turn-off zamanlarına sahiptir. Maksimum Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 20A kolektör akımında 1.6V'dur. -40°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Not: Bu ürün güncel olmayan (Obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Gate Charge
360 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
63ns/267ns
Test Condition
600V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V