Görsel mevcut değil
IRG7CH42UEF
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
IRG7CH42UEF Hakkında
IRG7CH42UEF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) üniter transistördür. Ultra hızlı switching karakteristiğine sahip bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 600V, 30A test koşullarında 1.4V Vce(on) ve 25ns/229ns açılma/kapanma hızlarına sahiptir. Gate charge değeri 157 nC olup, -40°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Die formunda sunulan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürücüler, kaynak makinaları ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda kullanılmıştır. Parça üretimi sonlandırılmış durumda olup, arşiv/yedek parça ihtiyaçları için tercih edilebilir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Gate Charge
157 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
25ns/229ns
Test Condition
600V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.4V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V