Görsel mevcut değil
IRG7CH35UEF
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
IRG7CH35UEF Hakkında
IRG7CH35UEF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT transistördür. Die formunda sunulan bu bileşen, ultra hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. 85 nC gate charge ve 30ns/160ns on/off geçiş süreleri ile hızlı komütasyon gerektiren uygulamalarda kullanılır. Maksimum Vce(on) değeri 15V gate voltajında 5A akımda 1.6V'tur. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, inverterler ve yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Surface mount uygulamalar için die formatta sağlanır. Ürün üretimi durdurulmuş olup (Obsolete), sınırlı stok mevcuttur.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Gate Charge
85 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Td (on/off) @ 25°C
30ns/160ns
Test Condition
600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V