Görsel mevcut değil
IRG4RC20FTRLPBF
IRG4RC20FTRLPBF Hakkında
IRG4RC20FTRLPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V 22A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. DPAK (TO-252-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 66W maksimum güç seviyesinde çalışabilir. 27 nC gate charge ve düşük switching zamanları (26ns açılış, 194ns kapanış) ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 2.1V (15V, 12A'de) olup, endüstriyel sürücü devreleri, inverter uygulamaları, motor kontrolü ve güç elektroniği sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
22 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
44 A
Gate Charge
27 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
66 W
Supplier Device Package
D-Pak
Switching Energy
190µJ (on), 920µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
26ns/194ns
Test Condition
480V, 12A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V