Görsel mevcut değil
IRG4RC20FTR
IRG4RC20FTR Hakkında
IRG4RC20FTR, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V çalışma voltajına sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 22A sürekli ve 44A darbe kolektör akımı kapasitesine sahip bu komponent, 66W maksimum güç dağıtımı için tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan IRG4RC20FTR, anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, inverter devrelerinde ve motor kontrolü sistemlerinde kullanılır. Düşük geçiş kaybı (Vce(on): 2.1V @ 15V, 12A) ve hızlı anahtarlama (26ns açılış, 194ns kapanış) özellikleri ile enerji verimliliği gerekli tasarımlara uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Not: Bu ürün üretim dışına çıkarılmış (Obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
22 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
44 A
Gate Charge
27 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
66 W
Supplier Device Package
D-Pak
Switching Energy
190µJ (on), 920µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
26ns/194ns
Test Condition
480V, 12A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V