Görsel mevcut değil
IRG4RC20FPBF
IRG4RC20FPBF Hakkında
IRG4RC20FPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 22A sürekli kolektör akımı ve 44A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, maksimum 66W güç dağıtabilir. 27nC kapı yükü ve 190µJ açılış, 920µJ kapanış anahtarlama enerjisi ile orta frekanslı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, UPS sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Mevcut durum: Üretimi sonlandırılmıştır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
22 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
44 A
Gate Charge
27 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
66 W
Supplier Device Package
D-Pak
Switching Energy
190µJ (on), 920µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
26ns/194ns
Test Condition
480V, 12A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V