Görsel mevcut değil
IRG4RC10UTRPBF
IRG4RC10UTRPBF Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRG4RC10UTRPBF, 600V kollektör-emitter gerilimi ile çalışan yalıtılmış kap IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Maksimum 8.5A sürekli kollektör akımı ve 34A darbe akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 38W maksimum güç dissipasyonuna sahip bu bileşen, TO-252-3 (DPak) kasa türünde sunulmaktadır. Gate şarj 15nC ve düşük on/off gecikmesi (19ns/116ns) özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklıklarında stabil performans sunar. Endüstriyel sürücü devreleri, AC/DC konverterler ve güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. Bileşen Infineon tarafından üretim dışı bırakılmış olup, mevcut envanter ve arşiv desteği kapsamında değerlendirilmelidir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8.5 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
34 A
Gate Charge
15 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
38 W
Supplier Device Package
D-Pak
Switching Energy
80µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
19ns/116ns
Test Condition
480V, 5A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V