Görsel mevcut değil
IRG4RC10UTR
IRG4RC10UTR Hakkında
IRG4RC10UTR, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. Surface mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 8.5A DC collector akımı ve 34A pulse collector akımı kapasitesine sahiptir. 38W maksimum güç dağıtımına uygun olan transistör, standart input tipinde çalışır. 15nC gate charge ve 19ns/116ns açılış/kapanış gecikme süreleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 5A akım koşullarında 2.6V'dir. Power supply kontrol devreleri, motor sürücüleri, inverter uygulamaları ve endüstriyel elektronik devrelerde kullanım için tasarlanmıştır. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8.5 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
34 A
Gate Charge
15 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
38 W
Supplier Device Package
D-Pak
Switching Energy
80µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
19ns/116ns
Test Condition
480V, 5A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V