Görsel mevcut değil
IRG4RC10UDTRP
IRG4RC10UDTRP Hakkında
IRG4RC10UDTRP, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-252 DPak yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 8.5A sürekli akım ve 34A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 38W maksimum güç dağıtımı, 15nC gate charge ve 28ns reverse recovery time özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler, kaynak makineleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Ürün şu anda üretim dışıdır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8.5 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
34 A
Gate Charge
15 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
38 W
Reverse Recovery Time (trr)
28 ns
Supplier Device Package
D-Pak
Switching Energy
140µJ (on), 120µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
40ns/87ns
Test Condition
480V, 5A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V