Görsel mevcut değil
IRG4RC10STR
IRG4RC10STR Hakkında
IRG4RC10STR, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Surface Mount teknolojisi ile TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 14A sürekli kollektör akımı ve 18A pulslu akım kapasitesine sahiptir. 15nC gate charge ve 25ns/630ns açılış/kapanış zamanı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Maksimum 38W güç tüketimi ile PWM kontrolü, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi sistemlerinde yer almaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 480V/8A test koşullarında 1.8V Vce(on) değerine sahiptir. Ürün statüsü obsolete olup, yedek parça veya eski tasarımlarda kullanım için mevcuttur.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
14 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Gate Charge
15 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
38 W
Supplier Device Package
D-Pak
Switching Energy
140µJ (on), 2.58mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
25ns/630ns
Test Condition
480V, 8A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V