Görsel mevcut değil
IRG4RC10SDTRPBFBTMA1
IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 Hakkında
IRG4RC10SDTRPBFBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V kollektör-emiter diyot gerilimi ile çalışan bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 14A maksimum kollektör akımı ve 38W güç yayılımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 DPak yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, özellikle anahtarlama hızı ve düşük ateşleme enerjisi gerektiren DC-DC konvertörleri, PWM kontrolörleri ve motor sürücü devrelerinde uygulanır. 28ns reverse recovery time ve 76ns açılış/815ns kapanış gecikmesi süresi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işletme imkanı sunar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
14 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Gate Charge
15 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
38 W
Reverse Recovery Time (trr)
28 ns
Supplier Device Package
D-PAK (TO-252AA)
Switching Energy
310µJ (on), 3.28mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
76ns/815ns
Test Condition
480V, 8A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V