Görsel mevcut değil
IRG4RC10SDTRLP
IRG4RC10SDTRLP Hakkında
IRG4RC10SDTRLP, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 14A sürekli collector akımı ve 18A pulsed akım kapasitesine sahip bu komponent, 38W maksimum güç dağıtımı için tasarlanmıştır. TO-252 DPak (SC-63) yüzeye monte paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 15nC gate charge ve 76ns/815ns on/off gecikmesi ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. 1.8V Vce(on) değeri ve 600V breakdown voltajı ile güç elektronikleri uygulamalarında, motor kontrolü, enerji dönüştürme ve pwm kontrol devreleri gibi alanlarda kullanılır. Ürün obsolete durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
14 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Gate Charge
15 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
38 W
Reverse Recovery Time (trr)
28 ns
Supplier Device Package
D-Pak
Switching Energy
310µJ (on), 3.28mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
76ns/815ns
Test Condition
480V, 8A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V