IRG4RC10KTRR

Üretici: Infineon
Kategori: IGBT Transistörler › Transistörler - IGBT - Tekil
Kılıf / Paket: TO-252-3
Açıklama: IGBT 600V 9A 38W DPAK

IRG4RC10KTRR Hakkında

IRG4RC10KTRR, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 9A sürekli kolektör akımı ve 18A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 38W güç derecelendirmesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 2.62V Vce(on) değeri ve 15V gate sürüleme ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Yüksek sıcaklık aralığında (-55°C ile +150°C arasında) çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrolü, enerji dönüştürme devreleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. Parça üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).

Ürün Özellikleri

15 özellik

Current - Collector (Ic) (Max) 9 A

Current - Collector Pulsed (Icm) 18 A

Gate Charge 19 nC

Input Type Standard

Mounting Type Surface Mount

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Part Status Obsolete

Power - Max 38 W

Supplier Device Package D-Pak

Switching Energy 160µJ (on), 100µJ (off)

Td (on/off) @ 25°C 11ns/51ns

Test Condition 480V, 5A, 100Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.62V @ 15V, 5A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V