Görsel mevcut değil
IRG4RC10KTRL
IRG4RC10KTRL Hakkında
IRG4RC10KTRL, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 9A sürekli akım kapasitesine ve 18A darbe akımına sahip olan bu komponent, DPak (TO-252-3) yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. Maksimum 38W güç dağıtma kapasitesi ile düşük sıcaklık katsayısına ve hızlı anahtarlama özelliklerine (11ns açılış, 51ns kapanış) sahiptir. Vce(on) 2.62V @ 15V, 5A şartlarında ölçülmüştür. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığını destekler. Motor kontrol, elektrik çevirici devreler, kaynak makinaları ve endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Parça durumu obsolete olarak işaretlenmiştir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
9 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Gate Charge
19 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
38 W
Supplier Device Package
D-Pak
Switching Energy
160µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
11ns/51ns
Test Condition
480V, 5A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.62V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
İlgili Ürünler
