Görsel mevcut değil
IRG4RC10KDTRPBF
IRG4RC10KDTRPBF Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRG4RC10KDTRPBF, 600V çalışma gerilimi ve maksimum 9A (pulse 18A) kolektör akımı ile tasarlanmış bir IGBT transistördür. TO-252 (DPak) surface mount pakette sunulan bu komponent, 38W maksimum güç yayılımı kapasitesine sahiptir. 19nC gate charge ve hızlı switching karakteristiği (on: 49ns, off: 97ns) ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük Vce(on) değeri (2.62V @ 15V, 5A) ve 28ns reverse recovery time'ı, güç dönüştürme devrelerinde, motor sürücülerinde ve frekans dönüştürücülerde tercih edilmesini sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Komponent obsolete durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
9 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Gate Charge
19 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
38 W
Reverse Recovery Time (trr)
28 ns
Supplier Device Package
D-Pak
Switching Energy
250µJ (on), 140µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
49ns/97ns
Test Condition
480V, 5A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.62V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
İlgili Ürünler
