Görsel mevcut değil
IRG4RC10K
IRG4RC10K Hakkında
IRG4RC10K, Infineon Technologies tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) bileşenidir. 600V kolektör-emitter breakdown voltajı ile tasarlanan bu transistör, maksimum 9A sürekli akım ve 18A darbe akımı kapasitesiyle çalışabilir. 38W maksimum güç seviyesinde işletilmesi uygun olan komponent, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Surface mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan IRG4RC10K, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 11ns açılış ve 51ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Motor kontrol, UPS sistemleri, endüstriyel sürücüler ve DC-AC konverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Bileşen güncel olarak tükenmiş (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
9 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Gate Charge
19 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
38 W
Supplier Device Package
D-Pak
Switching Energy
160µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
11ns/51ns
Test Condition
480V, 5A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.62V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V