Görsel mevcut değil
IRG4PSH71UPBF
IRG4PSH71UPBF Hakkında
IRG4PSH71UPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 99A kolektör akımı ve 350W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile tasarlanmıştır. SUPER247 (TO-274AA) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 370nC gate charge ve hızlı anahtarlama özellikleri (51ns açılış, 280ns kapanış) ile inverter, UPS, motor kontrol ve endüstriyel güç elektronik sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
99 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
370 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-274AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
350 W
Supplier Device Package
SUPER-247™ (TO-274AA)
Switching Energy
4.77mJ (on), 9.54mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
51ns/280ns
Test Condition
960V, 70A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 70A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V