Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
IRG4PH50UDPBF
IRG4PH50UDPBF Hakkında
IRG4PH50UDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 45A sürekli collector akımı ve 180A darbe akımı kapasitesiyle, 200W maksimum güç disipasyonu sağlar. TO-247-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 160nC gate yükü ve 47ns/110ns açılma/kapanma zamanı ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Ön ±15V gate sürücü gerilimi ile çalışır ve -55°C ile +150°C arası ortam sıcaklığında çalışabilir. Endüstriyel konverterler, motor kontrol devreleri ve güç elektronik sistemlerinde uygulanır. Not: Bu ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) konumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
45 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
180 A
Gate Charge
160 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
200 W
Reverse Recovery Time (trr)
90 ns
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
47ns/110ns
Test Condition
800V, 24A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.7V @ 15V, 24A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
İlgili Ürünler
